搞DUV和EUV光刻机，绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。
所以，他只能另辟蹊径。
很久之前，沐阳就想到过电子束光刻机。
原本，再过几年，漂亮国的一个实验室研发出一套名为ZyvexLitho1的光刻系统，基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL（E-Beaithography）电子束光刻方式，制造出了0.7n宽的芯片，只是没法实现批量生产，或者成本高过。
沐阳相信，如果是技术成熟的电子束光刻机，线宽比0.7n小。
他在系统商店普通货架上默念搜索「电子束光刻机」，很快，搜索出几款相关技术。
沐阳选择适合自己公司的一款技术：EBL01
技术参数：
1．最小线宽：小于1nbr/>
2．加速电压：5—500kV
3．电子束直径：小于0.5nbr/>
4．套刻精度：1nan＋0.20）
5．拼接精度：1nan＋0.20）
6．加工晶圆尺寸：4—18英寸
7．描电镜分辨率：小于0.2nbr/>
主要特点：
1．采用超高亮度和超高稳定性的TFE电子枪；
2．出色的电子束偏转控制技术；
3．采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率可达0.0002n
4．采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.002ad；
5．应用领域广泛，如
微纳器件加工，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻，图形线宽和图形位移测量等。
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需要成就点：300点！
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沐阳大概看了下简介，光从技术参数上就看出它
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