华夏没有超净间。CMOS对灰尘的容忍度比双极性更苛刻。一颗尘粒落在栅氧生长区，就等于一个针孔漏电，等于芯片废掉。
这意味着哪怕流程设计对了，良品率也是灾难级的。
不是“做不出”，是“做一百颗坏九十九颗”。
成本简直高到飞起。
第二是芯片欠缺问题。
目前国内倒是有光刻机，不过就那么一台可以用的光刻机，不可能拿来给他们用来做好几十万个芯片，人家华科医院那边的科研人员还得干别的呢。
而且就冲他们那宝贝光刻机的模样，肯定怕他们把东西用坏，不肯让他们做几十万个芯片。
第三是硅材料的纯度不够，CMOS栅氧厚度只有几百埃，任何微量金属污染就等于漏电流暴走。
国产直拉CZ硅当前纯度勉强够双极性/NMOS实验，用于高质量CMOS需要的超低氧、超低金属杂质、无位错单晶，根本拉不出合格的大直径单晶棒。
第四点是：CMOS需要精确控制p-Well掺杂剖面。理想做法是用离子注入机，能量和剂量可控。
华夏有少量仿制和进口的离子注入机，但有巴统协议在，想也知道，外国人给华夏的都是落后的产品。
束流均匀性、剂量精度、晶圆级自动化远不够量产。
靠传统热扩散凑合的话，横向扩散不可控，直接导致沟道长度一致性崩掉，最终致使Vt分布宽得像撒胡椒面。
画面糊成那样还监控什么？一点意义都没有。
这是目前能降低成本的最大头，也是不想花钱就必须克服的地方。
夏黎又在图纸上圈了另外一个位置，将原本的耗材一栏，改写成SD卡或硬盘。
目前记录影像的方案是，使用一台昂贵的时延录像机和大量耗材录像带。
可这种方案后期可能不用消耗太大，但首年的消耗大约是5.6万元。
而他们现在恰恰最缺的
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