则是闪存工厂。”
今天的会议，主要还是讨论逻辑芯片领域（CPU/GPU等），所以这储存芯片（运行内存以及闪存）领域，丁成军就说的不多，简单提一嘴就掠过，把话题重新集中到逻辑芯片领域。
只听丁成军继续道：“基于工艺研发以及工厂的高度关联性，我们采取一边建设一边研发的模式，确保在我们的未来新一代工艺获得突破之后，工厂方面就能做好相应的生产准备。”
“而不是和现在这样，我们的工厂建设落后于我们的工艺研发速度！”
“毕竟现在的工艺推进速度是比较快的，工厂方面也要提前建设，不然来不及。”
“我们的研发团队判断，未来几年来，随着多重曝光技术以及3D晶体管技术等技术的逐渐成熟，将会高速推进工艺的发展。”
“我们的研发团队判断，尤其是梁松教授的意见是，最迟今年年底，我们就能够完善十四纳米工艺，进而开始各项测试，为量产进行准备，预计明年上半年就能够投入生产，整体的技术进步速度是比较快的。”
“后年则是有望进一步推动到十纳米工艺。”
“大后年则是推动到七纳米工艺！”
“因为上述一系列的工艺进步，都是基于现有的多重曝光技术以及3D晶体管技术的深度挖掘推进，受到光刻机物理极限的限制，晶体管上的栅极长度技术推进上，整体幅度是比较小的，可能就是两纳米，甚至一纳米的微小进步。”
“更主要的工艺进步还是基于3D晶体管的设计以及多重曝光技术的提升，而这方面我们的工艺研发部门有比较大的信心。”
“我们的技术团队判断，在推进到等效七纳米工艺之前，我们不会遇到太大的关键性技术难题，倒是等效七纳米之后的工艺推进会非常麻烦，但这并不是工艺的问题，而是光刻机的问题。”
“我们的等效七纳米工艺的前期研发里，准备采用的技术就是使用现有的DUV浸润式光刻机进
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