型光刻机已经成熟，尤其是套刻精度上大有进步。
对于光刻机而言，最关键的参数有两个，一个是光源波长，比如DUV干式光刻机，则是193纳米的波长，而DUV浸润式光刻机，同样的光源下经过水的折射，可以把光源波长缩小到134纳米。
然后另外一个关键参数就是套刻精度，套刻精度有很多个说法，一般在量产工艺里使用的是MMO，也就是不同设备之间的套刻精度。
这个数据直接关系到大规模量产情况下的最小制程，良率等一系列关系性能，通常来说，只有满足五点五纳米的套刻精度，才能够实现28纳米工艺的大规模量产。
不然的话，勉强使用良率会非常低，成本高昂，不具备商业使用价值。
至于更进一步的18纳米以及十四纳米，甚至十纳米工艺这些，这就需要使用双重曝光技术，这对套刻精度要求更高，要求能够达到三点五纳米的套刻精度……
这也是为什么说十八纳米工艺节点有些尴尬的原因，因为用来生产十八纳米的光刻机，它也能用来生产十四纳米。
同样的设备，我为啥不生产十四纳米工艺的芯片？
但是再往下的七纳米，这就需要使用四重曝光，这对套刻精度提出了更进一步的要求，常规来说需要达到二点五纳米的套刻精度，如此才能够让良率稳定在一定的水准。
如果套刻精度不足的光刻机，强行采用四重曝光生产七纳米芯片，良率会非常低，成本非常高昂，除非特殊情况，不然没人这么干的。
而海湾科技目前的目标，就是进一步缩小套刻精度，争取做到二点五纳米的水准，然后满足七纳米的生产需求。
不过这也挺难的，这可是实打实的物理极限的提升，每一纳米的套刻精度提升都是无比艰难的。
当然，二点五纳米套刻精度的光刻机，现在海湾科技还搞不出来，甚至三点五纳米套刻精度的光刻机，现在也磕磕绊绊，还得继续琢磨，估计下半年才
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