…因为他们也没EUV光刻机可用！
原时空里他们可以直接用EUV光刻机玩七纳米甚至五纳米，但是这个时空里……徐申学微笑着对他们说：我没得用，你们也不能用！
你们不能抢跑，这不是体面人该做的事！
你们要是不体面，我就帮你们体面！
至于说什么规矩不规矩，事关几千亿美金的电子消费以及半导体市场，背后是一整个电子消费以及半导体产业链，影响数以千万计的就业岗位……
规矩？
老子的火箭弹就是规矩！
现在老老实实的待在原地和我一起玩DUV浸润式光刻机……然后我们各自琢磨如何用DUV浸润式光刻机生产七纳米甚至五纳米工艺的芯片！
这也挺好玩的不是！
这个时候，如何利用DUV浸润式光刻机进一步推进工艺，这就成为了很重要的问题。
实际上在28纳米开始，各半导体厂商就已经开始着手这个问题并进行解决了，使用双重曝光，使用3D晶体管等技术。
这些都是为了在现有DUV浸润式光刻机134纳米光源波长的极限下，进一步缩小晶体管尺寸，提升晶体管密度。
智云微电子也不例外，早早就开始搞多重曝光技术以及3D晶体管技术。
如今正在试产的十四纳米工艺，就是采用了双重曝光加上3D晶体管技术。
不过双重曝光也搞不了等效七纳米工艺啊，怎么办？
智云微电子那边提出来了更加复杂的多重曝光工艺，简单上来说，就是他们想要来个力大飞砖，直接上马四重曝光技术，强行实现等效7七纳米的量产。
但是多重曝光技术，得需要光刻机的套刻精度支持。
这也是海湾科技这边继续死磕套刻精度的缘故，在HDUV-400型号以及500型号之后，又迅速上马了600型号。
此时王道林道：“如果一定要使用DUV浸润式光刻
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