来，就得看S803芯片能不能顺利大规模量产，同时确保性能了。
智云微电子的丁成军，则是对自家的等效十纳米工艺信心十足。
“我们的等效十纳米工艺是基于十四纳米工艺的深度研发而来，项目团队已经为这个工艺努力了两年之久。”
“等效十纳米工艺对比我们的等效十四纳米工艺，性能上有了较大幅度的提升，栅极间距从之前的七十纳米，缩小到了六十四纳米，最小金属间距从六十纳米缩小到了四十四纳米。”
“晶体管密度的数量，从之前的第一代十四纳米工艺的三千五百六十万个每平方毫米，提升到了五千三百万个每平方毫米。“
“同时我们还应用了十二纳米工艺里的部分技术，比如通过增加栅极高度，降低漏电概率等技术，这使得我们的芯片在不增加晶体管密度的情况下，做到同等频率性能下，功耗能降低百分之三十以上。”
“这些先进技术，我们也同样应用到了等效十纳米工艺上，进一步提升了性能！”
“综合目前的条件来看，我们的等效十纳米工艺几乎已经是做到了当下技术的极限，台积电以及四星方面是不太可能超过我们的！”
“虽然目前还没有准确的情报，但是他们的等效十纳米工艺在晶体管数量上，应该和我们的等效十纳米工艺差不多，彼此有一些差距，但是不会太大！”
“但是我们在漏电率控制上拥有极大的优势，这一领域里我们从二十八纳米工艺时代开始就长期拥有优势，直到如今依旧如此！”
“这也是我们的一系列低功耗工艺，在性能上长期领先竞争对手的原因之一！”
“而手机各类芯片，尤其是SOC芯片，又是属于对功耗最为敏感的芯片种类！”
“因此使用我们的新等效十纳米工艺生产的S803芯片，至少在制造技术上是有优势的！”
“哪怕彼此的晶体管密度差不多，我们也能够依靠漏电率控制方面的领先，在同
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