他以为自己看错了，重新调了一遍参数，又扫了一遍。
还是一样。
测量标尺跳出来的那一刻，整个实验室瞬间死寂。
10.2纳米！
误差正负0.3纳米！
真真正正的10纳米级真实制程。
“上帝……”
有人低声呢喃。
“是真的…… 竟然是真的……”
“不可能……”
“以华国的产业链水平，14纳米都费劲，怎么可能做到真正的10纳米？”
可屏幕上那个数字，就在那里。
就像一个冰冷的巴掌，拍在所有人脸上。
震惊不过三秒，更疯狂的逆向分析立刻展开。
“快！做架构分析！电路拆解！版图逆向还原！”
“我要知道这颗芯片的每一个细节！”
“通知所有部门，取消今天所有安排！全员上阵！”
“好的！马上开始！”
实验室瞬间切换成了战时状态。
十几个人各就各位，一组负责拆解电路结构，一组负责还原版图布局，一组负责分析材料体系。
所有人心里都憋着一股劲儿。
他们想知道，这颗性能吊打全球的芯片，到底用了什么黑科技设计。
是GAA环绕栅极？
是MBCFET多桥沟道？
还是什么他们从未听说过的新型架构？
几个小时过去了。
当完整的架构图终于被还原出来，被投影到墙上的那一刻。
全场第二次死寂。
然后，比刚才更甚的震撼，狠狠砸在每个人头上。
投影上，是一张清晰无比的晶体管结构图。
平面型晶体管。
Planar MOSFET。
那是……那是上个时代的东西。
是最经
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