人是徐至军，目前他还担任着蓝思半导体的ceo，不过在移动处理器事业部他没有过多的话语权，这里是罗晟有最终拍板权，也是蓝思半导体比较特权的一个事业部，而且有独立的研发大楼，这是在双方合资成立这家公司的时候就已经约定好了。
但双方都打通了人才壁垒和专利壁垒，这一点很关键。
这场会议罗晟也在场，还有好几位科学家、研究学者、这里面包含了一些数学家等等，都汇聚在这件会议室里研讨。
现在讨论的重点就是第三代蔚蓝手机的处理器，新产品的芯片处理器采用的是纳米制程工艺，这已经确定了，而且很多技术已经搞定了。
一位资深研究专家环视众人说道“我们的研发部门想到的是用金属做栅极，因为金属有一个效应叫做镜像电荷，可以中和掉高k材料的绝缘层里的偶极子对沟道和费米能级的影响。这样一来就两全其美了，但这几种金属究竟是什么，除了掌握该技术的那几家西方高科技企业之外，外界没人知道，这是他们的商业机密。”
绝缘层是晶体管所有的构件中，最为关键的一个，它的作用是隔绝栅极和沟道。因为栅极开关沟道是通过电场进行的，而电场的产生又是通过在栅极上加一定的电压来实现。
欧姆定律告诉人类，有电压就有电流。
如果电流从栅极流进了沟道，那还谈什么开关？
早就漏了。
另一位与会研究学者发言道“二氧化硅虽好，但在尺寸缩小到一定限度时也出现了问题。在此过程中，电场强度是不变的，那么从能带角度来看，因为电子的波动性，如果绝缘层很窄很窄的话，就有一定几率电子会发生隧穿效应而越过绝缘层的能带势垒，产生漏电流。”
说着，这名学者比划着道“可以想象为穿过一堵比自己高的墙，这个电流的大小和绝缘层的厚度，以及绝缘层的‘势垒高度’成负相关。因此厚度越小，势垒越低，漏电流越大，对晶体管越不利。另一方面，晶体管的开关性能、工作电流等都需要有一个很大的绝缘层电容。”
“可以看出，这里已经出现
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