了一堆设计目标上的矛盾，绝缘层的厚度要不要继续缩小，实际上在这个节点之前，二氧化硅已经缩小到了不到两个纳米的厚度，也就是十几个原子层的厚度，漏电流的问题已经取代了性能问题成为了头号大敌。”
说到这里，会议室里一众学者都安静了下来。
坐在这里的都是最聪明的那批人类，有问题当然开始想办法。
人类是很贪心的，既不愿意放弃大电容的性能增强，也不愿意冒漏电的风险。
现在的情况是，需要一种材料，需要介电常数很高，同时能带势垒也很高，如此一来就可以在厚度不缩小的情况下，继续提升电容。
换句话说就是保护漏电流，又能提高开关性能这样的材料。
在学术界，近些年陆续提出了各种脑洞大开的新设计，比如隧穿晶体管、负电容效应晶体管、碳纳米管等等。
但其实所有这些设计，基本上就四个方向，材料、机理、工艺和结构。
这时，徐至军瞄了眼罗晟然后环顾众人发言道“石墨烯晶体管呢？石墨烯作沟道的思路是第二项，就是运输，因为石墨烯的电子迁移率远远高于硅。”
此话一出，一位学者摇头说道“这种神奇的材料的确很有想象空间，但问题是石墨烯晶体管没有什么进展，大多都是概念和理论阶段，还有石墨烯有个硬伤，就是不能饱和电流，但我注意到西方学术界有人表示未来或许可以做到调控石墨烯的能带间隙打开到关闭，不再仅仅是零带隙，不管怎么说石墨烯是一个很有未来前进的材料，但现在谈这个未免为时过早。”
徐至军旋即看向罗晟问道“罗总，你怎么看？”
此时，罗晟正看着会议大屏幕上的数据信息和一个理论模型，众人也齐刷刷的把目光落在了他的身上，后者盯着屏幕上的数据和函数模型说道
“听你们的讨论，我一直在思考一个问题，既然电子是在沟道中运动，那我为什么非要在沟道下面留有这么大一片耗尽层呢？当然里面的理由我知道，因为物理模型需要这片区域来平衡电荷。但是在短沟道器件里面，没有必要非要把耗尽层
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