的晶体管，在导电性方面相比于硅基半导体来说，要提升了相应的15%，同时在阻电方面提升了20%。
这也使得目前的第1代的碳基材料，在相应的半导体的特有属性方面，其整体能够接收的频率要比普通的硅基材料强大概17%左右。
同时优良的导电性也能够让其在相应的功耗方面拥有着非常不错的表现力，其中第1代材料的功耗表现相比于普通的硅基材料，直接缩减了25%左右的功耗水平。
这也就意味着用最新材料的碳基半导体生产的处理器芯片在同等设计方面更加的省电，功耗表现更加的优秀。
另外相应的碳基材料能够使得整个半导体内部的晶体管的直径范围控制在0.5n1n右，从而实现半导体制成工艺，真正意义上能够突破到一纳米制程工艺的水平。
要知道目前的硅晶半导体的发展已经开始有了一定的局限性，其整体的能够局限的晶体管的直径范围大概在1.57纳米到1.72纳米之间。
这也就意味着目前的芯片，代工厂商在将工
艺突破到二纳米之后想要再往前，更进一步需要新的技术作为支持，否则传统的技术想要继续的使得相应的制成工艺得到提升，其难度将会大幅度升级。
并且这一次的第1代的半导体碳基材料才只不过是第1代水准，而随着相应的材料技术不断的增强，也能够使得接受制程工艺的水平再次得到提升。
相应的功耗表现可以说是已经完全的超越了传统的硅基材料半导体，而全新的半导体材料的特性，更是给了目前新的碳基半导体材料无限的可能。
相应的第二代C23A2碳基半导体材料则是在第一代的基础方面增加了其相应的导电性，使其的功耗的表现力继续缩减15%左右。
同时相比于第一代材料来说，耐高温的水平也进一步的提高，使得相应的半导体在生产时能够接受更高的频率和更高的温度。
可以说第一代的材料是相应整
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