这也是目前全球范围内大规模量产工艺里最顶级的工艺，该工艺出现的还比较早，一度领先了四星半导体……不过四星半导体没多久就追上来了，没能形成太久的技术优势。
目前的10C工艺，是智云集团旗下各种高端内存芯片的主要量产工艺，这两年智云集团的很多终端产品里，都能找到采用该种工艺的高端内存。
目前智云集团旗下的智云储存的HBM3高带宽内存，也就是APO6000显卡上使用的内存，就是采用这一工艺制造。
智云集团旗下的S系列手机，如去年发布的S20Max Pro旗舰级，上面采用的LPDDR5内存芯片，也是采用这一工艺……智云储存旗下的LPDDR5高性能高速内存，也是目前最顶级的低功耗内存，性能甚至超过了四星的LPDDR5内存产品。
其原因就是来源于代工生产LPDDR5内存的智云微电子，其10C工艺的所提供的卓越性能。
现在的10C工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。
因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。
现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10D工艺冲击，其工艺节点为12纳米。
智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！
后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10A工艺，实际工艺节点为18纳米。
第二代10B工艺，实际工艺节点为16纳米。
第三代10C工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用EUV光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10D工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10D工艺的
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